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CVD,MOCVD專用氫氣發生器能將氫氣升壓至高壓力,通常可達幾十至幾百兆帕(MPa)的范圍,滿足特殊應用如氫能源存儲、高壓實驗及氣體推進的需求。通過采用質子交換膜(SPE)技術,能生產出純度高達99.999%的氫氣,遠超傳統氫氣發生器。在安全性方面,該設備內置多種安全措施,如壓力保護裝置、泄壓閥和安全開關,確保運行安全可靠。正確使用CVD,MOCVD專用氫氣發生器是確保操作安全和有效運行的關鍵,以下是詳細的正確使用步驟:1、安全檢查:在使用前,必須進行安全檢查。確保所有相關...
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一、引言在半導體制造、光電子和納米材料等領域,化學氣相沉積(CVD)和金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)技術是至關重要的薄膜沉積工藝。而氫氣作為這兩種技術中關鍵的反應氣體或載氣,其純度、穩定性和可控性對薄膜的生長質量和產量有著決定性影響。作為科技產業蓬勃發展的城市,其生產的CVD、MOCVD專用氫氣發生器在行業中嶄露頭角。二、CVD和MOCVD技術對氫氣的要求CVD是通過氣態反應物在固體表面進行化學反應來制備薄膜、涂層和納米材料的技術,MOCVD則是CVD的特殊形式,主要用于...
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金剛石MPCVD(微波等離子體化學氣相沉積)技術中使用的氫氣發生器是制備高純度氫氣的關鍵設備,主要用于提供反應氣體以生成金剛石薄膜。以下是關于該氫氣發生器的詳細介紹:1.核心功能-高純度氫氣供應:為MPCVD系統提供純度≥99.999%的氫氣,確保金剛石生長過程中無雜質干擾。-等離子體激發:氫氣在微波等離子體環境下解離為活性氫原子,促進碳源(如CH?)的分解和金剛石結晶。2.氫氣發生器類型-電解水制氫:-原理:通過電解去離子水(H?O)產生H?和O?,經純化后獲得高純氫。-優...
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CVD(化學氣相沉積)和MOCVD(金屬有機化學氣相沉積)是半導體制造過程中的關鍵技術,用于在襯底上沉積高質量、均勻的薄膜。在這些過程中,氫氣作為載氣和還原劑,其純度和穩定性對最終產品的質量至關重要。CVD,MOCVD專用氫氣發生器為CVD和MOCVD提供了高純度、連續穩定的氫氣供應,具有顯著的應用優勢。CVD,MOCVD專用氫氣發生器應用1.半導體制造:在CVD和MOCVD過程中,氫氣用作載氣,幫助將反應物輸送到襯底表面,并在高溫下促進化學反應,形成所需的薄膜。2.光伏產業...
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大流量氫氣發生器具有多種優勢,包括流量大(通常在500~10000ml/min之間)、操作簡便(只需打開電源即可產氫)、輸出壓力穩定,并具備自動補水、自動恒壓恒流、安全防返堿等功能。此外,其內部和外部氣體泄漏檢測以及自動關機的設置,為使用過程提供了安全保障。它廣泛應用于實驗室、工業、航空航天、能源等多個領域,成為這些領域中的重要設備。大流量氫氣發生器在長期使用過程中會遇到故障,以下是一些常見故障及相應的解決方法:1、水箱漏水:水箱漏水可能是由于密封圈破損或安裝不當引起的。解決...
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